SMD-Fototransistor OIT9C

Silizium

OIT9C 4-Kanal-Fototransistor-Anordnung 0,60 mm optisches Raster auf Kunststoff-SMD-Gehäuse OIT9C besteht aus einer monolithischen Anordnung eines Silizium-Fototransistors. Die Fototransistoren haben einen gemeinsamen Kollektor auf dem Rückseitensubstrat, der an zwei Pads gebunden ist, und jeder Emitter ist für ein bestimmtes Pad zugänglich. Das optische Raster des Arrays beträgt 0,60 mm, das elektrische Raster des LCC-Gehäuses beträgt 1,27 mm. Die aktive Fläche jedes Elements beträgt 0,20 x 0,45 mm2. Die Vorteile dieses Produkts sind die hohe Gleichförmigkeit der Siliziumsensoren aufgrund des monolithischen Aufbaus und des extrem kontrollierten mikroelektronischen Prozesses, die hohe Stabilität des Signals und die hohe optische Empfindlichkeit aufgrund der auf den Flächen des Fototransistors aufgebrachten Antireflexschicht. Das Verkapselungsmaterial ist ein klares Silikonmaterial mittlerer Härte, um robust gegenüber RoHS-Lötprozessen und hohen optischen Leistungen zu sein (Transmissionsgrad nahe 100% im Bereich von 300-900nm). Das Gehäusematerial ist ein hochwertiges Kunststoffmaterial mit hoher TG. Die Größe ist auf ein Minimum reduziert, um die Kosten und den Platz für den Encoder zu optimieren. Für die präzise Positionierung des Kollimators stehen zwei Referenzmarken zur Verfügung. Bewerbungen Erweiterte Temperatur-Messgeräte Optische Kodierer Inkremental-Encoder Steuerungen/Antriebe Merkmale Sehr hohe Gleichförmigkeit von Siliziumzellen Hoher Temperaturbereich Robuste Verpackung Hochtransparentes Harz Hoher Gewinn Entwickelt zur Erfüllung industrieller Spezifikationen Referenzbohrungen für präzise Montage