SMD-Fototransistor OIT12C-S

Silizium

OIT12C-OIT12C-S 9-Kanal-Fototransistor-Anordnung 0,45 mm optisches Raster auf Kunststoff-SMD-Gehäuse Allgemeine Beschreibung OIT12C besteht aus einer monolithischen Anordnung eines Silizium-Fototransistors. Die Fototransistoren haben einen gemeinsamen Kollektor auf dem Rückseitensubstrat, der mit einem einzelnen Pad verbunden ist, und jeder Emitter ist für ein bestimmtes Pad zugänglich. Das optische Raster des Arrays beträgt 0,45 mm, das elektrische Raster des LCC-Gehäuses beträgt 1,10 mm. Die aktive Fläche jedes Elements beträgt 0,25 x 0,50 mm2. Die Vorteile dieses Produkts sind die hohe Gleichförmigkeit der Siliziumsensoren aufgrund des monolithischen Aufbaus und des extrem kontrollierten mikroelektronischen Prozesses, die hohe Stabilität des Signals und die hohe optische Empfindlichkeit aufgrund der auf den Flächen des Fototransistors aufgebrachten Antireflexschicht. Das Verkapselungsmaterial ist ein klares Epoxidmaterial mit hoher Härte und hoher optischer Leistung (Durchlässigkeit nahe 100% im Bereich von 300-900nm). Die S-Version hat einen anderen Verkapselungstyp, weniger hart, auf Silikonbasis, um einen erweiterten Temperaturbereich zu erreichen. Die Größe ist auf ein Minimum reduziert, um die Kosten und den Platz des Encoders zu optimieren. Für die präzise Positionierung des Kollimators stehen zwei Referenzmarken zur Verfügung. Bewerbungen Optische Kodierer Inkremental-Encoder Optische Empfänger Steuerungen/Antriebe Licht-Sensoren Merkmale Hohe Gleichmäßigkeit der Siliziumzellen Kleinerer optischer Abstand, größere aktive Fläche Hochtransparentes Harz Hoher Gewinn Sehr kleine Abmessungen Referenzpunkte für präzise Montage