OID7
6 p/n-Fotodiodenarray-Chip
Allgemeine Beschreibung
Optische Vorrichtung, bestehend aus einer 6-Chip-Silizium-P/N-Fotodiodenanordnung mit hoher Gleichförmigkeit für die Ausgangssignale. Das Gerät bietet seine besten Leistungen in Sperrrichtung, da es auf PiN-Dioden basiert.
Die aktive Fläche jedes Siliziumchips beträgt 2,5 x 1,1 mm2
Die hohe optische Empfindlichkeit ist auf eine optimierte Antireflexbeschichtung zurückzuführen, die auf die aktiven Bereiche der Fotodiode aufgebracht wird.
Der Dunkelstrom ist hervorragend für Hochtemperaturanwendungen geeignet.
Das Gehäusematerial ist ein hochwertiges Kunststoffmaterial mit hoher TG.
OID7 ist vollständig kompatibel mit OID2 und hat ein neues Design, das die Zuverlässigkeit der Komponenten erhöht.
Bewerbungen
Inkrementale Drehgeber
Allgemeiner Zweck
Merkmale
Hohe Ansprechempfindlichkeit (> 0,65 A/W @ = p)
Hohe Quanteneffizienz (> 90% @ Vr=5V)
Erweiterter Temperaturbereich -40°C +125°C
Große aktive Fläche
Schnelle Reaktionszeit
Niedriger Dunkelstrom
Vollständig kompatibel mit OPR2100 und OL2100
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