Stärk integrierte Schaltung LND150

MOSFET

Der LND150 ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor im Verarmungsmodus (normalerweise eingeschaltet), der die laterale DMOS-Technologie nutzt. Das Gate ist ESD-geschützt. Der LND150 ist ideal für Hochspannungsanwendungen in den Bereichen Öffner, Präzisionskonstantstromquellen, Spannungsrampenerzeugung und Verstärkung. Produktmerkmale Frei von sekundären Durchschlägen Geringe Antriebsleistung Leichte Parallelisierung Ausgezeichnete thermische Stabilität Integrierte Source-Drain-Diode Hohe Eingangsimpedanz und niedriger CISS ESD-Gate-Schutz Parametrik BVdss min (V) - 500 Rds (ein) max (Ohm) - 1000 Vgs(aus) Min (V (Volt)) - -1,0 Vgs(aus) Max (V (Volt)) - -3.0 Gehäuse - SOT-23, TO-92, SOT-89