IGBT-Transistor XPT™ series

Leistung

Diese Geräte wurden entwickelt unter Verwendung der proprietären Thin-Wafer XPT™-Technologie und des aktuellsten IGBT-Prozesses und zeichnen sich durch Eigenschaften wie reduzierten thermischen Widerstand, niedrigen tail strom, geringen Energieverlust und Hochgeschwindigkeits-Schaltfähigkeit aus. Dank des positiven Temperaturkoeffizienten ihrer Durchlassspannung können diese Hochspannungs-IGBT parallel betrieben werden, was im Vergleich zu in Reihe geschalteten Niederspannungsgeräten kosteneffektive Lösungen bietet. Dies führt folglich zu einer Reduzierung der zugehörigen Gate-Treiberschaltung, zu Einfachheit im Design und einer Verbesserung der Zuverlässigkeit des Gesamtsystems. Die optionalen mitgepackten schnellen Freilaufdioden haben eine geringe Sperrverzögerungszeit und sind optimiert, um glatte Schaltwellenformen und deutlich geringere elektromagnetische Störungen (EMI) zu erzeugen. Eigenschaften: Dünnwafer XPT™-Technologie Niedrige Durchlassspannungen VCE(sat) Co-packed schnelle Freilaufdioden Positiver Temperaturkoeffizient von VCE(sat) Internationale Hochspannungsgehäuse in Standardgröße Anwendungen: Impulsschaltungen Laser- und Röntgengeneratoren Hochspannungsnetzgeräte Hochspannungsprüfgeräte Kondensator-Entladekreise Wechselstromschalter