Diese Baureihe von Siliziumkarbid-(SiC)-Schottky-Dioden hat einen vernachlässigbaren Sperrverzögerungsstrom, ein hohes Ableitvermögen und eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C. Diese Dioden eignen sich perfekt für Anwendungen, bei denen bessere Effizienz, Zuverlässigkeit und Temperaturkontrolle wünschenswert sind.
Eigenschaften:
AEC-Q101-qualifiziert
Positiver Temperatur-Koeffizient für sicheren Betrieb und zur einfachen Parallelschaltung
Maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C
Hervorragender Überspannungsschutz
Extrem schnelles, temperaturunabhängiges Schaltverhalten
Dramatisch reduzierte Schaltverluste im Vergleich zu Si-Bipolar-Dioden
Anwendungen:
Stärkere Dioden in PFC- und DC/DC-Zuständen
Schaltnetzteile
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
Solar-Umrichter
Industrielle Motorantriebe
EV-Ladestationen