Schottky-Diode LSIC2SD065D seriesThrough-HoleLeistungSiC
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Eigenschaften
- Technologie
- Schottky
- Installierung
- Through-Hole
- Elektrische Merkmale
- Leistung
- **********Technische Merkmale
- SiC
Beschreibung
Diese Baureihe von Siliziumkarbid-(SiC)-Schottky-Dioden hat einen vernachlässigbaren Sperrverzögerungsstrom, ein hohes Ableitvermögen und eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C. Diese Dioden eignen sich perfekt für Anwendungen, bei denen bessere Effizienz, Zuverlässigkeit und Temperaturkontrolle wünschenswert sind.
Eigenschaften:
• AEC-Q101-qualifiziert
• Positiver Temperatur-Koeffizient für sicheren Betrieb und zur einfachen Parallelschaltung
• Maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C
• Hervorragender Überspannungsschutz
• Extrem schnelles, temperaturunabhängiges Schaltverhalten
• Dramatisch reduzierte Schaltverluste im Vergleich zu Si-Bipolar-Dioden
Anwendungen:
• Stärkere Dioden in PFC- und DC/DC-Zuständen
• Schaltnetzteile
• Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
• Solar-Umrichter
• Industrielle Motorantriebe
• EV-Ladestationen
Kataloge
Power Semiconductor & IC
133 Seiten
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.