Fotodioden Array / Avalanche SAH Series

Avalanche Photodioden Lawinenfotodioden werden, ähnlich wie Photomultiplier, zur Detektion äußerst schwacher Lichtintensitäten eingesetzt. Für die Wellenlängen von 250 – 1100 nm werden Si APDs eingesetzt, für die Wellenlängen von 1100 – 1700 nm wird InGaAs als Halbleiter verwendet. Silizium APD Arrays APD Arrays für neuartige LIDAR und ACC Anwendungen - optimierte Empfindlichkeit zwischen 800-900 nm. SAH Serie Optimal geeignet für Time-of-Flight-Messungen (TOF) sind die lineare APD-Arrays von Laser Components. Die Arrays basieren auf schnellen, rauscharmen Avalanche-Dioden aus Silizium, die in einer monolithischen Reihe aufgebaut sind. Die Empfindlichkeit wurde für den Bereich 800-900 nm optimiert, zu den weiteren Merkmalen gehören ein sehr niedriger Temperaturkoeffizient sowie ein mit lediglich 40 µm sehr schmaler Gap zwischen den Elementen. Zunächst werden lineare Si Arrays nach Kundenspezifikationen angeboten, wobei sowohl die Anzahl als auch die Größe der Elemente kundenspezifisch definiert werden kann. Standard-Arrays mit 8, 12 oder 16 Elementen im DIL-Gehäuse werden auch angeboten. Zweidimensionale Matrix-Arrays werden demnächst verfügbar sein.