Dieser Vertikalofen mit eingebautem Stocker verarbeitet 8-Zoll-Wafer bei ultrahohen Temperaturen in großen Chargen. Dieser Ofen ist ein Wärmebehandlungssystem für Halbleiter, das Oxidation, Diffusion, LPCVD, Aktivierungsglühen und verschiedene andere Wärmebehandlungen durchführen kann.
Merkmale
Große Chargen, max. 150 Wafer im Batchbetrieb
Maximal 20 Kassettenvorräte
Hervorragende Temperaturkontrolle vom niedrigen bis zum mittelhohen Temperaturbereich mit Hilfe eines LGO-Heizers
Hochgeschwindigkeits-Wafer-Transfer durch Einsatz eines Roboters zur Handhabung von einzelnen/fünf Wafern
Ausgestattet mit einem bedienerfreundlichen Hochleistungs-Steuerungssystem
Bei diesem Modell handelt es sich um einen vertikalen Diffusionsofen für die kontinuierliche Großserienproduktion, der mit einem Stocker für maximal 150 Wafer (8-Zoll) oder 20 Kassetten ausgestattet ist. Dank der LGO-Heizung weist dieser Ofen hervorragende Temperatureigenschaften über einen Bereich von niedrigen bis zu sehr hohen Temperaturen auf. Dieser Ofen kann für eine breite Palette von Prozessen eingesetzt werden, vom Niedertemperatur-Glühen, Nitrid (Si3N4), Polysilizium (Poly Si) und anderen Materialien bis hin zu Oxidation und Diffusion. Ein Molybdändisilizid-(MoSi2)-Heizgerät kann auch für die Oxynitridierung von SiC-Gates für Leistungsbauelemente und andere Ultrahochtemperaturverfahren verwendet werden.
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