Auftragsmaschine / Hoch -PE-CVD Delta™

für Verpackung

Die plasmagestützte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD) ist ein Verfahren, bei dem die Energie des Plasmas zur Beschleunigung chemischer Reaktionen an der Waferoberfläche genutzt wird, um dünne Schichten bei Temperaturen unter 400 °C herzustellen. Durch energetischen Ionenbeschuss während der Abscheidung lassen sich die elektrischen und mechanischen Eigenschaften der Schichten gezielt einstellen. Die Delta™-PECVD-Systeme von SPTS werden für eine Vielzahl von Anwendungen in den Bereichen Advanced Packaging, RF, Power, Photonics und MEMS eingesetzt, insbesondere für Anwendungen, die eine niedrige Verarbeitungstemperatur erfordern. Das Delta™ fxP Clustersystem bietet eine umfassende Bibliothek von Prozessen für ein breites Spektrum an dielektrischen Schichten und mit Abscheidungstemperaturen von 80°C bis 400°C. Das System bietet außerdem Optionen für Einzel- und Multi-Wafer-Vorheizkammern zur Entgasung empfindlicher Substrate und die Möglichkeit der Randkontaktverarbeitung für die Wafer-Rückseitenabscheidung. - SiCN für Hybridbonding und dickes SiO für Inter-Die-Gapfill - TSV-Liner und Via-Reveal-Passivierung - SiN-Passivierung für Leistungschips mit geringer Leistung und geringer Beschädigung für GaN - Rückseitenfilme für niedrige Temperaturen mit Bogenkompensation - Hochgradig gleichmäßiges SiN für die Passivierung von MIM-Kondensatoren und GaAs-Bauelementen. - Abgestimmte RI- und dotierte Schichten für aktive und passive Photonik