Der Process Probe™ 1730 ermöglicht die präzise In-situ-Charakterisierung von Wafer-Temperaturprofilen in Photoresist-Track-Systemen, temperaturgesteuerten Wafer-Chuck-Systemen, Ofenanwendungen sowie Resist-Bake-, Polyimid- und SOG-Anwendungen. Der Process Probe 1730 hilft Ingenieuren bei der Charakterisierung und Feinabstimmung der Prozessbedingungen, um die Leistung der Prozessanlagen zu verbessern und die Ausbeute zu erhöhen.
Anwendungen
Prozessentwicklung, Prozessqualifizierung, Prozesswerkzeugqualifizierung, Prozesswerkzeuganpassung
Lithografie-Track-Systeme, temperaturgesteuerte Wafer-Chuck-Systeme und Öfen | -150-300°C
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