Vakuumbeschichtung

Ramtech hat eine RAM-Kathode für die Verwendung in der Four-Face-Target-Sputter-Methode entwickelt, die die Abscheidung von hochwertigen Dünnschichten ermöglicht. Die RAM-Kathode zeichnet sich durch geringe Beschädigung, Abscheidung bei niedriger Temperatur und eine glatte Oberfläche mit wenigen Nadellöchern und anderen Defekten aus. Die RAM-Kathode wird in verschiedenen Bereichen wie Perowskit-Solarzellen und OLED eingesetzt. Unser Laborraum ist mit einer Cluster-Sputteranlage mit RAM-Kathode ausgestattet und steht für Abscheidungstests auf von unseren Kunden gelieferten Substraten zur Verfügung. Schadensarmes Sputtern erreichen Bei der herkömmlichen Methode des Flachplattensputterns stoßen der Sputterfluss und der Argonrückstoß des Targets direkt mit dem Substrat zusammen, was zu einer sehr großen Beschädigung während der Abscheidung führt. Bei der Abscheidung der Schicht mit einer RAM-Kathode trifft der Fluss nicht direkt auf das Substrat, und der Sputterfluss wird gleichmäßig verteilt, so dass die Schicht mit minimalen Schäden abgeschieden werden kann. Hochwertige Dünnschichtabscheidung ist möglich Die von gegenüberliegenden Targets gestreuten Sputterströme prallen aufeinander, was die Verfeinerung des Sputterstroms fördert. Die gleichmäßige Abscheidung von feinem Flussmittel führt zu einer glatten Oberfläche und zur Bildung einer Schicht ohne viele Nadellöcher. Erzielung einer hohen Stufenbedeckung Beim herkömmlichen Sputtern ist die Oberfläche parallel zum Target die Hauptabscheidungsfläche. Durch Änderung der Bedingungen für die Schichtabscheidung mit der RAM-Kathode und die Verwendung von diagonal gestreutem Sputterfluss ist es möglich, effektiv eine Abscheidung auf der Seitenfläche mit einer Dicke von >85 % (im Vergleich zur Schichtdicke) zu erreichen. Die RAM-Kathode kann je nach den Bedingungen in einer Vielzahl von Prozessen eingesetzt werden.