IGBT-Transistor PDHS254-NB15-S series

Leistung

Buchsen für Leistungstransistoren Teilung Hohe Temperatur Geringe Ausgasung Mehrpoliger Typ Hochzuverlässiger runder Kontakt mit guter elektrischer und mechanischer Leistung. Die Testfassungen für Leistungstransistoren eignen sich für verschiedene Gehäuse und sind für den Einsatz in Hochtemperaturumgebungen geeignet. Akzeptable Gehäuse: TO-220, TO-257, TO-262, etc Akzeptable Leitungsgröße φ0.85 - 1.1mm/0.335" -0.043" Nennstrom - Kontaktwiderstand - Dielektrische Festigkeit - Isolatorwiderstand - Betriebstemperatur - - - Teilung Hülse - Messing, Au-Beschichtung über Ni Kontakt - Hochtemperatur-Kupferlegierung Isolator - Hochtemp. Thermoplastischer Wie es verwendet werden kann, hängt vom Gerät ab, wie z.B. ein quadratisches Kabel. Durch Anpassung der Anordnung der Buchsenstifte, kann es auch für die Bewertung von Leistungshalbleitern wie IPM und IGBT verwendet werden. Möglich für Kelvin-Messung Möglichkeit zur Auswahl der Verdrahtungsspezifikationen Unterstützt die Hochtemperaturumgebung Positionierspitze ermöglicht das Layout mit hoher Positionsgenauigkeit Da die Kontakte 2,85 mm von der Oberseite der Buchse entfernt sind, kann die Messung mit geringer Induktivität durchgeführt werden. Die Platinenbefestigung wird durch Schrauben und Muttern gesichert.