IGBT-Transistormodul

IGBT-Transistormodul - IXYS
IGBT-Transistormodul - IXYS
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Eigenschaften

Typ
IGBT

Beschreibung

Pint IGBTs # Eigenschaften: VCES: 300V zu 1200V # IS (90): 2A zu 200A # hoher Gewinn, niedrige übertragung u. Schaltung Verluste. Kategorien: A2, A3, B2, B3, C2 # und C3 A2: DC zu 10kHz. B2, B3: 15kHz zu 40kHz C2: 40kHz zu 100kHz # C3: 50kHz -150kHz. A3-Class polare IGBT/Diode Arten, Mittelfrequenz-Strecke (15KHz-40KHz) # C3-300 V IGBT, Schnell-Pint für 50kHz-150kHz, das mit oder ohne vorhandene ultraschnelle Diode in der ähnlichkeit schält

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.