IGBT-Transistor Leistung
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Eigenschaften
- Typ
- IGBT
- Technologie
- Leistung
Beschreibung
Eigenschaften:
Einfacher Vergleich wegen des positiven Temperaturkoeffizienten der Aufzustand Spannung
Schroffes Extremlicht lochen durch Resultate des Designs (XPT?) in:
- Kurzschluß veranschlagen für 10µs.
- sehr niedrige Gatteraufladung
- niedrige EMS
- quadratische Gegenmagnetisierung zulässige Arbeitsbereiche (RBSOA) bis zu den Durchbruchsspannungen
Dünne Oblatetechnologie kombiniert mit den SPT Designresultaten in einem konkurrierenden niedrigen VCE (gesessen)
SONIC-FRD? Diode
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.