MOSFET-Transistor BSC027N10NS5

Leistung

Beschreibung: Infineons OptiMOS™ BiC-MOSFETs im SuperSO8-Gehäuse erweitern das Produktportfolio von OptiMOS™ 3 und 5 und ermöglichen eine höhere Leistungsdichte sowie eine verbesserte Robustheit, die dem Bedarf an niedrigeren Systemkosten und gesteigerter Leistung gerecht wird. Niedrige Reverse Recovery Charge (Qrr) verbessert die Systemzuverlässigkeit durch eine signifikante Reduzierung des Spannungsüberschwingens, wodurch der Bedarf an Snubber-Schaltungen minimiert wird, was zu geringeren Entwicklungskosten und weniger Aufwand führt. Wichtige Merkmale Niedrigster RDS(on) ermöglicht höchste Leistungsdichte und Effizienz Höhere Betriebstemperatur bis 175°C für mehr Zuverlässigkeit Niedriges RthJC für exzellentes Wärmeverhalten Niedrigere Reverse Recovery Charge (Qrr) Die wichtigsten Vorteile Niedrigere Volllasttemperatur Weniger Parallelisierung Reduziertes Überschwingen Erhöhte Systemleistungsdichte Kleineres Format Systemkostenreduzierung Engineering-Kosten und Aufwandsreduzierung Zielanwendungen Server Telekommunikation Elektrowerkzeuge Niederspannungsantriebe Audioanwendungen der Klasse D