MOSFET-Transistor BSC112N06LD
Leistung

MOSFET-Transistor - BSC112N06LD - Infineon Technologies AG - Leistung
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Eigenschaften

Typ
MOSFET
Technologie
Leistung
Strom

57 A

Spannung

60 V

Beschreibung

Vorteile: Dual Super SO8-Gehäuse für hohe Leistungsdichte (kleinste Grundfläche) Hervorragende thermische Beständigkeit Hohe Betriebstemperatur von bis zu 175°C Hohe Durchschusssicherheit durch Qgd/Qgs<0,8 Pb-freie Beschichtung, RoHS-konform Mögliche Anwendungen SMPS Induktives drahtloses Laden Lastschalter Batterie-Management-Systeme LV-Antriebe

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MWC 2025
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