MOSFET-Transistor BSZ024N04LS6
LeistungSchaltWiderstand

MOSFET-Transistor - BSZ024N04LS6 - Infineon Technologies AG - Leistung / Schalt / Widerstand
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Eigenschaften

Typ
MOSFET
Technologie
Leistung, Schalt
Weitere Eigenschaften
Widerstand
Strom

130 A

Spannung

40 V

Beschreibung

Die OptiMOS™ 6-Leistungs-MOSFET-Familie ist für eine Vielzahl von Anwendungen und Schaltungen optimiert, z. B. für die synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen (SMPS) in Servern, Desktop-PCs, drahtlosen Ladegeräten, Schnellladegeräten und ORing-Schaltungen. Verbesserungen beim Durchlasswiderstand (RDS(on)) und der Leistungszahl (FOM - RDS(on) x Qg und Qgd) ermöglichen den Entwicklern eine höhere Effizienz, ein einfacheres thermisches Design und weniger Parallelschaltung, was zu einer Senkung der Systemkosten führt. Wichtigste Merkmale Im Vergleich zu alternativen Produkten: RDS(on) um 30% reduziert Verbesserter FOM Qg x RDS(on) um 29% Verbesserte FOM Qgd x RDS(on) um 46% Optimiert für synchrone Gleichrichtung Geeignet für ORing-Schaltungen RoHS-konform - halogenfrei MSL1-zertifiziert Wesentliche Vorteile Höchste Systemeffizienz Weniger Parallelschaltung erforderlich Erhöhte Leistungsdichte Sehr geringe Spannungsüberschwinger Geringerer Bedarf an Dämpfungsgliedern Reduzierung der Systemkosten Ziel-Anwendungen SMPS Server Telekommunikation Ladegerät Antriebe Multicopter Kabelloses Laden

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