MOSFET-Transistor BSC021N08NS5

LeistungAudio

Die OptiMOS™ BiC-MOSFETs von Infineon im SuperSO8-Gehäuse erweitern das OptiMOS™ 3- und 5-Produktportfolio und ermöglichen eine höhere Leistungsdichte bei gleichzeitig verbesserter Robustheit und entsprechen damit den Anforderungen nach niedrigeren Systemkosten und höherer Leistung. Die niedrige Rückspeiseleistung (Qrr) verbessert die Systemzuverlässigkeit durch eine deutliche Reduzierung des Spannungsüberschwingens, wodurch der Bedarf an Dämpfungsschaltungen minimiert wird, was zu geringeren Entwicklungskosten und -aufwand führt. Wichtigste Merkmale Niedrigster RDS(on) ermöglicht höchste Leistungsdichte und Effizienz Höhere Betriebstemperatur bis 175°C für mehr Zuverlässigkeit Niedriger RthJC für hervorragendes thermisches Verhalten Geringere Rückspeiseleistung (Qrr) Wesentliche Vorteile Niedrigere Volllasttemperatur Weniger Parallelisierung Geringeres Überschwingen Erhöhte Leistungsdichte des Systems Geringere Größe Reduzierung der Systemkosten Reduzierung der Entwicklungskosten und des Aufwands Ziel-Anwendungen Server Telekommunikation Elektrowerkzeuge Niederspannungsantriebe Class-D-Audio-Anwendungen