Der CoolMOS™ P7 Superjunction-MOSFET ist der Nachfolger der CoolMOS™ P6-Serie. Er bietet weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen dem Bedarf an hoher Effizienz und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Der klassenbeste RonxA-Wert und die inhärent niedrige Gate-Ladung (QG) der CoolMOS™-Plattform der siebten Generation gewährleisten eine hohe Effizienz.
Zusammenfassung der Merkmale:
Wirkungsgrad
P7 ermöglicht hervorragende FOM RDS(on)xEoss und RDS(on)xQG
Benutzerfreundlichkeit
Integrierte ESD-Diode ab 180mN und mehr RDS(on)s
Integrierter Gate-Widerstand RG
Robuste Body-Diode
Breites Portfolio an Gehäusen für Durchsteck- und Oberflächenmontage
Sowohl Standard- als auch Industriequalität sind verfügbar
Vorteile:
Wirkungsgrad
Exzellente FOMs RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss ermöglichen höhere Effizienz
Benutzerfreundlichkeit
Einfacher Einsatz in Fertigungsumgebungen durch Vermeidung von ESD-Fehlern
Integriertes RG reduziert die MOSFET-Schwingungsempfindlichkeit
MOSFET eignet sich sowohl für harte als auch für resonante Schalttopologien wie PFC und LLC
Ausgezeichnete Robustheit bei harter Kommutierung der Body-Diode in der LLC-Topologie
Geeignet für eine breite Palette von Endanwendungen und Ausgangsleistungen
Verfügbare Teile für Verbraucher- und Industrieanwendungen
Mögliche Anwendungen
TV-Stromversorgung
Industrielle SMPS
Server
Telekommunikation
Beleuchtung
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