MOSFET-Transistor IPAN60R600P7S

LeistungSchalt

Der CoolMOS™ P7 Superjunction-MOSFET ist der Nachfolger der CoolMOS™ P6-Serie. Er bietet weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen dem Bedarf an hoher Effizienz und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Der klassenbeste RonxA-Wert und die inhärent niedrige Gate-Ladung (QG) der CoolMOS™-Plattform der siebten Generation gewährleisten eine hohe Effizienz. Zusammenfassung der Merkmale: Wirkungsgrad P7 ermöglicht hervorragende FOM RDS(on)xEoss und RDS(on)xQG Benutzerfreundlichkeit Integrierte ESD-Diode ab 180mN und mehr RDS(on)s Integrierter Gate-Widerstand RG Robuste Body-Diode Breites Portfolio an Gehäusen für Durchsteck- und Oberflächenmontage Sowohl Standard- als auch Industriequalität sind verfügbar Vorteile: Wirkungsgrad Exzellente FOMs RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss ermöglichen höhere Effizienz Benutzerfreundlichkeit Einfacher Einsatz in Fertigungsumgebungen durch Vermeidung von ESD-Fehlern Integriertes RG reduziert die MOSFET-Schwingungsempfindlichkeit MOSFET ist sowohl für harte als auch für resonante Schalttopologien wie PFC und LLC geeignet Ausgezeichnete Robustheit bei harter Kommutierung der Body-Diode in der LLC-Topologie Geeignet für eine breite Palette von Endanwendungen und Ausgangsleistungen Verfügbare Teile für Verbraucher- und Industrieanwendungen Mögliche Anwendungen TV-Stromversorgung Industrielle SMPS Telekommunikation Beleuchtung