MOSFET-Transistor BSZ063N04LS6
LeistungSchaltWiderstand

MOSFET-Transistor - BSZ063N04LS6 - Infineon Technologies AG - Leistung / Schalt / Widerstand
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Eigenschaften

Typ
MOSFET
Technologie
Leistung, Schalt
Weitere Eigenschaften
Widerstand
Strom

40 A

Spannung

40 V

Beschreibung

OptiMOS™ 6 Leistungs-MOSFETs mit klassenbestem RDS(on) und überragender Schaltleistung Die OptiMOS™ 6 Leistungs-MOSFET 40V-Familie ist für eine Vielzahl von Anwendungen und Schaltungen optimiert, z. B. für die synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen (SMPS) in Servern, Desktop-PCs, drahtlosen Ladegeräten, Schnellladegeräten und ORing-Schaltungen. Verbesserungen beim Durchlasswiderstand (RDS(on)) und bei der Leistungszahl (FOM - RDS(on) x Qg und Qgd) ermöglichen es den Entwicklern, den Wirkungsgrad zu erhöhen, was ein einfacheres thermisches Design und eine geringere Parallelschaltung ermöglicht, was zu einer Senkung der Systemkosten führt. Wichtigste Merkmale Im Vergleich zu alternativen Produkten: RDS(on) um 30% reduziert Verbesserter FOM Qg x RDS(on) um 29% Verbesserte FOM Qgd x RDS(on) um 46% Optimiert für synchrone Gleichrichtung Geeignet für ORing-Schaltungen RoHS-konform - halogenfrei MSL1-zertifiziert Wesentliche Vorteile Höchste Systemeffizienz Weniger Parallelschaltung erforderlich Erhöhte Leistungsdichte Sehr geringe Spannungsüberschwinger Geringerer Bedarf an Dämpfungsgliedern Reduzierung der Systemkosten Ziel-Anwendungen SMPS Server Telekommunikation Ladegerät Antriebe Multicopter Kabelloses Laden

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Kataloge

BSZ063N04LS6
BSZ063N04LS6
11 Seiten

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