MOSFET-Transistor IPD900P06NM

LeistungSchaltLawinen

P-Kanal-MOSFETs in normaler und logischer Ausführung, die die Komplexität des Designs bei Anwendungen mit mittlerem und niedrigem Stromverbrauch reduzieren OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs 60V im DPAK-Gehäuse sind die neue Technologie für Batteriemanagement-, Lastschalter- und Verpolungsschutzanwendungen. Der Hauptvorteil eines P-Kanal-Bauelements ist die Reduzierung der Designkomplexität bei Anwendungen mit mittlerem und niedrigem Stromverbrauch. Die einfache Schnittstelle zur MCU, das schnelle Schalten sowie die Avalanche-Robustheit machen ihn für anspruchsvolle Anwendungen geeignet. Er ist mit normalem und logischem Pegel erhältlich und verfügt über einen breiten RDS(on)-Bereich und verbessert die Effizienz bei niedrigen Lasten aufgrund des niedrigen Qg. Zusammenfassung der Merkmale: Großer RDS(on)-Bereich Verfügbarkeit von Normalpegel und Logikpegel Vorteile: Einfache Schnittstelle zur MCU Verbesserter Wirkungsgrad bei niedrigen Lasten durch niedriges Qg Schnelles Schalten Avalanche-Robustheit Mögliche Anwendungen Batterie Verbraucher Industrielle Automatisierung Industrielle Antriebe