Speichermodul HBM3E

HBM3E weiterhin führend auf dem KI-Markt SK hynix hat HBM3E auf den Markt gebracht, um seine unangefochtene Führungsposition auf dem KI-Speichermarkt nach dem Erfolg von HBM3 zu festigen. Die erweiterte Version von HBM3 trägt dazu bei, den Geschäftsumschlag zu beschleunigen, indem sie nach der branchenweit größten Massenproduktion von HBM geliefert wird. 10 % verbesserter Wärmewiderstand und Leistungseffizienz SK hynix war das erste Unternehmen, das die MR-MUF (Mass Reflow-Molded Underfill)-Packungstechnologie entwickelte. Diese Technik, bei der die Chips im Reflow-Verfahren miteinander verbunden und gleichzeitig die Lücken mit flüssigem Material gefüllt werden, ist für die Entwicklung des hoch wärmeleitfähigen HBM von großer Bedeutung. Zusammen mit der Technologie zur Chipkontrolle wird nicht nur der Waferverzug verhindert, sondern es wurde auch ein neues Füllmaterial hinzugefügt, um die Wärme noch besser abzuführen. Das fortschrittliche MR-MUF hat die Wärmeableitung des HBM3E im Vergleich zur vorherigen Generation um 10 % verbessert, während die Leistungseffizienz ebenfalls um 10 % gestiegen ist. x1,5 Kapazität und Bandbreite bei gleicher Gehäusegröße HBM3E bietet eine maximale Kapazität von 36 GB und eine maximale Datenrate von 9,2 Gbps pro Pin, wobei die maximale Bandbreite 1,18 TB pro Sekunde übersteigt, was eine 1,4-fache Verbesserung im Vergleich zu HBM3 sowohl in Bezug auf die Kapazität als auch die Bandbreite darstellt.