DRAM-Speichermodul H9JKNNNFB3AECR-N6H

DRAM-Speichermodul - H9JKNNNFB3AECR-N6H - Hynix
DRAM-Speichermodul - H9JKNNNFB3AECR-N6H - Hynix
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Eigenschaften

Typ
DRAM
Speicher

12 GB, 16 GB, 18 GB

Beschreibung

Kleiner Formfaktor, geringer Stromverbrauch, energieeffizient Fortschritte bei niedrigem Stromverbrauch SK hynix führt LPDDR5 als Hauptprodukt mit einer Kapazität von 18 GB und einer Übertragungsgeschwindigkeit von 6.400 Mbit/s ein, da die Mobiltelefonhersteller beginnen, LPDDR5 als neuen Standard einzuführen. Mit einem Stromverbrauch von 1,05 V, der sogar unter den 1,1 V von LPDDR4X liegt, ist unser LPDDR5 die perfekte Lösung für Smartphones mit 8 GB, 12 GB und 18 GB DRAM, den derzeit beliebtesten Kapazitäten auf dem High-End-Markt. 2x höhere Skalierbarkeit LPDDR5 verfügt über 16 Bänke, doppelt so viele wie die 8 Bänke von LPDDR4, wodurch in einem einzigen Zyklus doppelt so viele Operationen ausgeführt werden können und eine doppelt so hohe Übertragungsrate von 6.400 Mbit/s erreicht wird. Hohe Leistungseffizienz LPDDR5 verbraucht eine Versorgungsspannung von 1,05 V, 20 % weniger als die 1,1 V, die LPDDR4X benötigt.

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.