DRAM-Speichermodul H5UG7HME03X020R

DDR5

Ultimativer DRAM für neue Horizonte des High-End-Speichers Der weltweit erste HBM3 wird im Oktober 2021 entwickelt In nur 15 Monaten seit dem Start der HBM2E-Massenproduktion hat SK hynix seine Führungsposition bei Hochgeschwindigkeits-DRAM durch die Entwicklung von HBM3 gefestigt, dem neuesten Speicher mit hoher Bandbreite für Spitzentechnologien in Rechenzentren, Supercomputern und KI. Fortschrittliche Wärmeableitung HBM3 läuft bei gleicher Betriebsspannung bei niedrigeren Temperaturen als HBM2E, was die Stabilität der Serversystemumgebung verbessert. Bei gleichen Betriebstemperaturen kann SK hynix HBM3 12-Die-Stacks oder die 1,5-fache Kapazität von HBM2E und 6 Gbps I/O-Geschwindigkeiten für eine 1,8-fach höhere Bandbreite unterstützen. Mit einer größeren Kühlkapazität bei gleichen Betriebsbedingungen wird SK hynix seiner Memory ForEST*-Initiative gerecht. Leistungssteigerung SK hynix HBM3 verfügt über die 1,5-fache Kapazität von HBM2E bei 12 gestapelten DRAM-Dies auf der gleichen Gesamthöhe und eignet sich für kapazitätsintensive Anwendungen wie KI und HPC. Ein einzelner Würfel kann eine Bandbreite von bis zu 819 GB/s erreichen, während ein SiP (System-in-Package) mit sechs HBM-Chips auf demselben Silizium bis zu 4,8 TB/s erreichen kann, um die Exascale-Anforderungen zu erfüllen. On-die ECC SK hynix HBM3 verfügt außerdem über einen robusten und speziell entwickelten On-Die ECC (Error Correcting Code), der vorab zugewiesene Paritätsbits zur Überprüfung und Korrektur von Fehlern in den empfangenen Daten verwendet. Die eingebettete Schaltung ermöglicht es dem DRAM, Fehler innerhalb der Zellen selbst zu korrigieren, was die Zuverlässigkeit des Bausteins erheblich verbessert.