DRAM-Speichermodul H5WRAGESM8W-N8L

schnell

Schnellster DRAM mit verbesserter Wärmeableitung Die schnellste DRAM-Lösung Der 1ynm 16Gb HBM2E von SK hynix ist der branchenweit schnellste Speicher mit einer I/O-Geschwindigkeit von 3,6 Gbps, der 460 GB Daten pro Sekunde bei 1.024 I/Os verarbeitet. Mit einer um 36 % besseren Wärmeableitung als der vorherige HBM2 ist unser neuer HBM2E ein wirklich effizienter Speicher mit robuster Leistung für Ihr System. HBM-Leistungstrend SK hynix ist führend auf dem HBM-Markt und strebt nach noch schnelleren HBM-Lösungen: Unser in der Entwicklung befindlicher HBM3 wird in der Lage sein, Daten mit einer Geschwindigkeit von 819 GB/s oder mehr zu verarbeiten, bei einer Geschwindigkeit von 6,4 Gbps pro Pin. Mit einer mehr als doppelt so hohen Energieeffizienz bei gleicher Arbeitslast wie DDR oder GDDR senkt HBM die Gesamtbetriebskosten - das ist der Kern unserer Memory ForEST*-Initiative. Thermische Verbesserung Unser HBM2E hat eine um 36 % bessere Wärmeableitung als HBM2, wodurch er unter den gleichen Betriebsbedingungen durchschnittlich 14 Grad Celsius kühler bleibt. Bis zu 9-fache Bandbreite, 2-fache Gen-on-Gen-Kapazitätsverbesserung Verglichen mit der Bandbreite von 2,4 GB/s bei DDR5 und 64 GB/s bei GDDR6 kann HBM2E bis zu 9-mal schneller arbeiten und 460 GB Daten pro Sekunde verarbeiten. HBM2E verdoppelt auch die Dichte gegenüber der vorherigen HBM2-Generation, indem es eine 16-GB-Lösung mit einer Kombination aus acht 16-GB-DRAM-Die realisiert, verglichen mit der 8-GB-Kern-Die-Dichte des HBM2.