Fokussiertes Ionen Strahl System MI4050

Das Hochleistungssystem MI4050 mit fokussiertem Ionenstrahl ist mit einer neuen Optik ausgestattet und bietet die weltweit führende SIM-Bildauflösung und hochauflösende TEM-Probenpräparation mit verbesserter Bildauflösung bei niedrigen kV. Das MI4050 eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen wie Querschnittsbetrachtung, Schaltkreismodifikation, Vektorscan-Verarbeitung, Nano-Mikro-Strukturierung, Nano-Abformung und 3D-Nano-Fertigung mit Depositionsfunktion. Stark verkürzte Bearbeitungszeit durch großen Sondenstrom (maximaler Sondenstrom 90 nA) Querschnittsbearbeitung beim Drahtbonden (Bearbeitungsgröße: B: 95 µm, T: 55 µm; Bearbeitungszeit: 20 min) Extrem beschädigungsarme TEM-Probenvorbereitung durch NiederkV-Bearbeitung (0,5 kV oder höher) und verbesserte Auflösung der Sekundärelektronenbilder bei niedrigen kV *Weniger als 1 kV ist optional Hochpräziser, motorisierter, mechanischer 5-Achsen-Euzentertisch Mit dem exzentrischen Tisch kann der Benutzer die Koordinaten genauer bestimmen, um eine feinere Ausrichtung für die Bildgebung und die kontinuierliche TEM-Probenvorbereitung zu erreichen.