IGBT-Transistor 5SN series
LeistungSchalt

IGBT-Transistor - 5SN series - Hitachi Energy - Leistung / Schalt
IGBT-Transistor - 5SN series - Hitachi Energy - Leistung / Schalt
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Eigenschaften

Typ
IGBT
Technologie
Leistung, Schalt
Strom

Max: 3.600 A

Min: 150 A

Spannung

1.200 V, 1.700 V, 3.300 V, 4.500 V, 6.500 V

Beschreibung

IGBT-Leistungsmodule von Hitachi Energy sind für Spannungen von 1700–6500 Volt als Einzel-, Doppel-/Phasenbein-, Chopper-IGBT- und Doppeldiodenmodule verfügbar. Die HiPak IGBT-Hochleistungsmodule zeichnen sich durch niedrige Verluste in Kombination mit sanfter Schaltleistung und einem rekordverdächtigen sicheren Betriebsbereich (SOA) aus. Die neu eingeführten schnell schaltenden 62Pak- und LoPak-IGBT-Module für mittlere Leistungen zeichnen sich durch niedrigste Schaltverluste, einen Betrieb bei 175 °C mit vollflächiger Rechteck-SOA und ein Standardgehäuse aus, das einen Drop-in-Austausch ermöglicht.

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Messen

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Hyvolution 2025
Hyvolution 2025

28-30 Jan. 2025 paris (Frankreich) Stand 6H30

* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.