Ein UHV-Oberflächenanalysesystem für die Tiefenprofilierung dünner Schichten
Hiden Analytical bietet extrem vielseitige, hochempfindliche Instrumente für die dynamische und statische SIMS-Analyse (Sekundärionen-Massenspektrometrie) an, die ein neues Maß an Präzision für innovative Anwendungen ermöglichen. Mit einer erweiterten Reichweite und der Möglichkeit, sowohl positive (+ve) als auch negative (-ve) Sekundärionen zu erfassen und zu identifizieren, ist die SIMS-Workstation eine umfassende Lösung für die Analyse der Zusammensetzung und die Erstellung von Tiefenprofilen.
Für die gleichzeitige Analyse von +ve und -ve Ionen in einem umfassenden SIMS-Paket hat Hiden Analytical außerdem die innovative Hi5 SIMS-Workstation entwickelt. Weitere Informationen finden Sie in unserer Produktliteratur unten.
Die Sekundärionen-Massenspektrometrie (SIMS) ist eine der empfindlichsten Techniken, die je entwickelt wurde, um die obersten Oberflächenschichten eines Materials zu untersuchen, von einer Tiefe von mehreren hundert Nanometern (nm) bis hin zu einer einzelnen Atomschicht. Sie kann Zusammensetzungsdaten bis in den Bereich von Teilen pro Milliarde (ppb) liefern und ist mit jedem Material kompatibel, das unter Vakuumbedingungen zuverlässig geprüft werden kann. Folglich werden SIMS-Instrumente routinemäßig zur Analyse von Keramiken, Metallen, organischen Materialien, Polymeren, Halbleitern und mehr eingesetzt.
Diese Technik wird in zwei verschiedene Methoden unterteilt: dynamische und statische SIMS. Bei beiden wird ein primärer Ionenstrahl verwendet, der unter Vakuumbedingungen auf eine Probe trifft, wodurch extrem kleine Materialmengen von der Oberfläche abgetragen werden - ein Teil dieses ausgeworfenen Materials wird ionisiert.
---