Diese Maschine ist für das Dotieren von Phosphor und Bor zur Bildung von "p-n-Übergängen" ausgelegt, einer entscheidenden Komponente von kristallinen Silizium-Solarzellen.
Spezifikation
POCl₃
Hoher Durchsatz: 7.854 Wafer/Stunde (2.400 Wafer/Boot)
Zykluszeit: 110 min
Betriebszeit: 99%
BBr₃
Hoher Durchsatz: 3.600 Wafer/Std. (2.400 Wafer/Boot)
Zykluszeit: 240 min
Betriebszeit: 99%
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