Dieses Gerät erhöht den Wirkungsgrad durch die Abscheidung einer dünnen Al2O3-Schicht auf der Vorderseite des Wafers einer kristallinen Solarzelle durch thermische Atomlagenabscheidung (ALD) zur Bildung einer Passivierungsschicht.
Spezifikation
Hoher Durchsatz: 12.800 Wafer/Stunde (1.600 Wafer/Boot)
Zykluszeit: 30 min
Betriebszeit: 97 %
* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.