Silizium-Fotodiode S series

InfrarotUV

Für Präzisionsfotometrie im UV bis zum sichtbaren Bereich; unterdrückte Empfindlichkeit im nahen IR Merkmale - Hohe UV-Empfindlichkeit: QE＝75 % (λ=200 nm) - Unterdrückte Empfindlichkeit im nahen IR - Niedriger Dunkelstrom - Hohe Zuverlässigkeit Technische Daten - Lichtempfindliche Fläche: 1,1 × 1,1 mm - Anzahl der Elemente: 1 - Gehäuse : Metall - Gehäusekategorie : TO-18 - Kühlung : Nicht gekühlt - Rückwärtsspannung (max.) : 5 V - Spektralempfindlichkeitsbereich : 320 bis 1000 nm - Wellenlänge der Spitzenempfindlichkeit (typ.) : 720 nm - Lichtempfindlichkeit (typ.) : 0,36 A/W - Dunkelstrom (max.) : 2 pA - Anstiegszeit (typ.) : 0,15 μs - Anschlusskapazität (typ.) : 35 pF - Rauschäquivalentleistung (typ.) : 1,6×10-15 W/Hz1/2 - Messbedingungen : Ta=25 ℃, Typ., Lichtempfindlichkeit: λ=720 nm, Dunkelstrom: VR=10 mV, Anschlusskapazität: VR=0 V, f=10 kHz, sofern nicht anders angegeben