InGaAs-Fotodiode G1-32 series
wellenlängenempfindlichPIN

InGaAs-Fotodiode - G1-32 series - HAMAMATSU - wellenlängenempfindlich / PIN
InGaAs-Fotodiode - G1-32 series - HAMAMATSU - wellenlängenempfindlich / PIN
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Eigenschaften

Merkmal
InGaAs, wellenlängenempfindlich
Installierung
PIN

Beschreibung

Wir haben die Fotodiode und die Linse in den optimalen Positionen angeordnet, so dass diese InGaAs-PIN-Fotodiode des Buchsentyps deutlich weniger Mehrfachreflexionen im Inneren des Moduls aufweist. Sie wird u. a. für OCT verwendet. Merkmale - Hohe Ansprechgeschwindigkeit: 4 GHz typ. - Verhindert Mehrfachreflexionen - FC/Angled PC-kompatibel Spezifikationen - Anzahl der Elemente : 1 - Verpackung : Steckdose - Gehäusekategorie : FC-Panel - Kühlung : Nicht gekühlt - Spektralempfindlichkeitsbereich : 0,9 bis 1,7 μm - Wellenlänge der Spitzenempfindlichkeit (typ.) : 1.55 μm - Lichtempfindlichkeit (typ.) : 0,95 A/W - Dunkelstrom (max.) : 0,5 nA - Grenzfrequenz (typ.) : 4000 MHz - Anschlusskapazität (typ.) : 0,8 pF - Messbedingungen : Typ. Ta=25 ℃, Lichtempfindlichkeit: λ=λp, Dunkelstrom: VR=5 V, Grenzfrequenz: VR=5 V, RL=50 Ω, λ=1.3 μm, -3 dB, Anschlusskapazität: VR=5 V, f=1 MHz, sofern nicht anders angegeben

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.