Wellenlängenempfindlicher Fotodiode S16-MS series

Wellenlängenempfindlicher Fotodiode - S16-MS series - HAMAMATSU
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Eigenschaften

Merkmal
wellenlängenempfindlich

Beschreibung

Es handelt sich um vorgespritzte Gehäuse-Photodioden, die einen niedrigen Dunkelstrom aufweisen. Es gibt nur wenig Streulicht, das von den Seiten und der Rückseite des Gehäuses auf den lichtempfindlichen Bereich fällt, und sie können von geringer bis hoher Beleuchtung mit hoher Genauigkeit messen. Merkmale - S16838-01MS: Für den sichtbaren Bereich - S16838/S16840-02MS: Für den sichtbaren bis IR-Bereich - S16765-01MS: Für den sichtbaren bis nahen IR-Bereich Spezifikationen - Lichtempfindliche Fläche: 2,8 × 2,4 mm - Anzahl der Elemente: 1 - Verpackung : Plastik - Kategorie der Verpackung : - Kühlung : Nicht gekühlt - Spektralempfindlichkeitsbereich : 320 bis 1000 nm - Wellenlänge der Spitzenempfindlichkeit (typ.) : 720 nm - Lichtempfindlichkeit (typ.) : 0,4 A/W - Dunkelstrom (max.) : 20 pA - Anstiegszeit (typ.) : 0,5 μs - Anschlusskapazität (typ.) : 200 pF - Rauschäquivalentleistung (typ.) : - Messbedingungen : Ta=25 ℃, Typ., Lichtempfindlichkeit: λ=λp, Dunkelstrom: VR=1 V, Anschlusskapazität: VR=0 V, f=10 kHz, sofern nicht anders angegeben

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IPACK IMA 2025
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