Infrarot-Fotodiode S16008-66

Bei der Serie S16008 handelt es sich um eine oberflächenmontierbare Si-Fotodiode mit hoher Empfindlichkeit im sichtbaren bis nahen Infrarotbereich. Sie bietet eine höhere Empfindlichkeit als die Vorgängerserie S2387. Merkmale -Hohe Empfindlichkeit im sichtbaren bis nahen Infrarotbereich -Niedriger Dunkelstrom -Hervorragende Linearität -Kompatibel mit bleifreiem Reflow-Lot Spezifikationen - Lichtempfindliche Fläche: 5,8 × 5,8 mm - Anzahl der Elemente: 1 - Gehäuse : Glas-Epoxid - Gehäusekategorie : Oberflächenmontagetyp - Kühlung : Nicht gekühlt - Spektraler Empfindlichkeitsbereich : 380 bis 1100 nm - Wellenlänge der Spitzenempfindlichkeit (typ.) : 960 nm - Lichtempfindlichkeit (typ.) : 0,64 A/W - Dunkelstrom (max.) : 50 pA - Anstiegszeit (typ.) : 9,0 μs - Anschlusskapazitäten (typ.) : 4000 pF - Rauschäquivalentleistung (typ.) : 2,0 × 10-15 W/Hz1/2 - Messbedingungen : Ta=25 ℃, Typ., Lichtempfindlichkeit: λ=λp, Dunkelstrom: VR=10 mV, Anstiegszeit: VR=0 V, RL=1 kΩ, 10 bis 90%, Anschlusskapazität: VR=0 V, f=10 kHz, Rauschäquivalentleistung: VR=0 V, λ=λp, sofern nicht anders angegeben