Silizium-Fotodiode S1114 series
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Eigenschaften
- Merkmal
- Silizium
Beschreibung
Photodioden für die Detektion von Elektronenstrahlen
Fotodioden zur Detektion von rückgestreuten Elektronen in Rasterelektronenmikroskopen (SEM).
S11141-10
Hochempfindliche, direkte Detektion von Elektronenstrahlen niedriger Energie (1 keV oder mehr)
Merkmale
-Direkter Nachweis von Elektronenstrahlen niedriger Energie (1 keV oder mehr) mit hoher Empfindlichkeit
-Hohe Verstärkung: 300-fach
hohe Nachweisleistung: 72 % (einfallende Elektronenenergie: 1,5 keV)
-Große lichtempfindliche Fläche: 10 × 10 mm
-φ2,0 mm großes Loch in der Mitte der lichtempfindlichen Fläche
-Dünnes Keramikgehäuse
-Verwendet eine Leiterplatte aus weniger magnetischen Materialien
S11142-10
Hohe Empfindlichkeit, direkter Nachweis von Elektronenstrahlen niedriger Energie (1 keV oder mehr)
Merkmale
-Direkter Nachweis von Elektronenstrahlen niedriger Energie (1 keV oder mehr) mit hoher Empfindlichkeit
-Hohe Verstärkung: 300-fach
hohe Nachweisleistung: 72 % (einfallende Elektronenenergie: 1,5 keV)
-Große lichtempfindliche Fläche: 14 × 14 mm
-φ2,0 mm großes Loch in der Mitte der lichtempfindlichen Fläche
-4-Element-Fotodiode
-Dünnes Keramikgehäuse
-Verwendet eine Leiterplatte aus weniger magnetischen Materialien
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.