Silizium-Fotodiode S14645-05

LIDAR

Schnelle, kompakte Si-APD für LiDAR (900-nm-Band) mit Low-Bias-Betrieb Diese Si-APD eignet sich für die Erfassung von Licht im 900-nm-Band, das zunehmend in optischen Rangefindern eingesetzt wird. Bei gleicher Form wie das Vorgängerprodukt (Serie S12926) zeichnet sich diese Si-APD durch geringere Schwankungen der Durchbruchspannung, reduzierten Dunkelstrom und erweiterte Lager- und Betriebstemperaturen aus. Merkmale - Kleines Gehäuse: 3,1 × 1,8 × 1,0t mm - Wellenlänge der Spitzenempfindlichkeit: 840 nm (M=100) - Betrieb mit niedriger Vorspannung: Durchbruchspannung=195 V max. - Schnelles Ansprechverhalten: Grenzfrequenz=600 MHz typ. (λ=900 nm, M=100) - Reduzierung der Durchbruchspannungsschwankung: 175 ± 20 V Spezifikationen Typ : Für LiDAR (900 nm-Band, Low-Bias-Betrieb) Lichtempfindliche Fläche : φ0,5 mm Gehäuse : Kunststoff Gehäusekategorie : Oberflächenmontagetyp Wellenlänge der Spitzenempfindlichkeit (typ.) : 840 nm Spektraler Empfindlichkeitsbereich : 400 bis 1100 nm Lichtempfindlichkeit (typ.) : 0,5 A/W Dunkelstrom (max.) : 0,8 nA Grenzfrequenz (typ.) : 600 MHz Anschlusskapazität (typ.) : 1 pF Durchbruchspannung (typ.) : 175 V Temperaturkoeffizient der Durchbruchspannung (typ.) : 1,1 V/℃ Verstärkung (typ.) : 100 Messbedingung : Typ. Ta=25 ℃, wenn nicht anders angegeben, Lichtempfindlichkeit: λ=900 nm, M=1