Silizium-Fotodiode S14644-02

LIDAR

Kompakte Hochgeschwindigkeits-Si-APD für LiDAR (800-nm-Band) mit Low-Bias-Betrieb Diese Si-APD eignet sich für die Erfassung von Licht im 800-nm-Band, das zunehmend in optischen Messgeräten verwendet wird. Bei gleicher Form wie das Vorgängerprodukt (Serie S10341) zeichnet sich diese Si-APD durch eine geringere Schwankung der Durchbruchsspannung, einen geringeren Dunkelstrom und eine höhere Lager- und Betriebstemperatur aus. Merkmale - Kleines Gehäuse: 3,1 × 1,8 × 1,0t mm - Wellenlänge der Spitzenempfindlichkeit: 800 nm (M=100) - Betrieb mit niedriger Vorspannung: Durchbruchspannung=180 V max. - Hohe Ansprechgeschwindigkeit: Grenzfrequenz=1,2 GHz typ. (λ=800 nm, M=100) - Verringerung der Durchbruchsspannungsschwankungen: 160 ± 20 V Spezifikationen - Typ : Für LiDAR - (800 nm-Band, Low-Bias-Betrieb) - Lichtempfindliche Fläche: φ0,2 mm - Gehäuse : Plastik - Gehäusekategorie : Oberflächenmontagetyp - Wellenlänge der Spitzenempfindlichkeit (typ.) : 800 nm - Spektraler Empfindlichkeitsbereich : 400 bis 1000 nm - Lichtempfindlichkeit (typ.) : 0,52 A/W - Dunkelstrom (max.) : 0,3 nA - Grenzfrequenz (typ.) : 1200 MHz - Anschlusskapazität (typ.) : 0,6 pF - Durchbruchspannung (typ.) : 160 V - Temperaturkoeffizient der Durchbruchspannung (typ.) : 0,63 V/℃ - Verstärkung (typ.) : 100