Silizium-Fotodiode S14643-02
LIDAR

Silizium-Fotodiode
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Eigenschaften

Merkmal
Silizium, LIDAR

Beschreibung

Schnelle, kompakte Si-APD für LiDAR (700-nm-Band) mit Low-Bias-Betrieb Diese Si-APD eignet sich für die Erfassung von Licht im 700-nm-Band, das zunehmend in optischen Rangefindern eingesetzt wird. Bei gleicher Bauform wie das Vorgängerprodukt (Serie S10341) zeichnet sich diese Si-APD durch geringere Schwankungen der Durchbruchspannung, reduzierten Dunkelstrom und erweiterte Lager- und Betriebstemperaturen aus. Merkmale - Kleines Gehäuse: 3,1 × 1,8 × 1,0t mm - Wellenlänge der Spitzenempfindlichkeit: 760 nm (M=100) - Betrieb mit niedriger Vorspannung: Durchbruchspannung=120 V max. - Schnelles Ansprechverhalten: Grenzfrequenz=2 GHz typ. (λ=760 nm, M=100) - Reduzierung der Durchbruchspannungsschwankung: 100 ± 20 V Spezifikationen Typ : Für LiDAE (700 nm-Band, Low-Bias-Betrieb) Lichtempfindliche Fläche : φ0,2 mm Gehäuse : Kunststoff Gehäusekategorie : Oberflächenmontagetyp Wellenlänge der Spitzenempfindlichkeit (typ.) : 760 nm Spektraler Empfindlichkeitsbereich : 400 bis 1000 nm Lichtempfindlichkeit (typ.) : 0,48 A/W Dunkelstrom (max.) : 0,2 nA Grenzfrequenz (typ.) : 2000 MHz Anschlusskapazität (typ.) : 0,7 pF Durchbruchspannung (typ.) : 100 V Temperaturkoeffizient der Durchbruchspannung (typ.) : 0,42 V/℃ Verstärkung (typ.) : 100 Messbedingung : Typ. Ta=25 ℃, wenn nicht anders angegeben, Lichtempfindlichkeit: λ=760 nm, M=1

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Kataloge

* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.