Rechteckiger optoelektronischer Sensor H10770 series

Metall

Bei der Serie H10770A handelt es sich um Photomultiplier-Röhrenmodule, die einen PMT im Metallgehäuse mit GaAsP/GaAs-Photokathode und eine Hochspannungsversorgungsschaltung enthalten. Das H10770A-40 (GaAsP-Photokathode) ist ein hochempfindliches Photomultiplier-Röhrenmodul mit einem spektralen Ansprechbereich von 300 nm bis 740 nm. Spezifikationen - Größe der Photokathodenfläche : Dia.5 mm - Wellenlänge (kurz) : 300 nm - Wellenlänge (lang) : 740 nm - Wellenlänge (Spitzenwert) : 520 nm - Eingangsspannung : +11,5 V bis +15,5 V - Max. Eingangsspannung: +18 V - Max. Eingangsstrom : 62 mA - Max. Ausgangssignal Strom : 2 μA - Max. Steuerspannung : +0,9 V (Eingangsimpedanz 100 kΩ) - Empfohlener Einstellbereich der Steuerspannung : +0,5 V bis +0,8 V (Eingangsimpedanz 100 kΩ) - Kathode] Strahlungsempfindlichkeit Typ : 189 mA/W - Anode] Strahlungsempfindlichkeit Typ: 1,9 x 105 A/W - Anode] Dunkelstrom (nach 30 Min.) Typ. : 3 nA - Welligkeitsrauschen (Spitze-Spitze) Max. : 0,6 mV - Einschwingzeit Max. : 0,2 s - Betriebsumgebungstemperatur : +5 ℃ bis +35 ℃ - Gewicht : Ca. 100 g