InGaAs-Fotodiode G12183-210KA-03
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InGaAs-Fotodiode - G12183-210KA-03 - HAMAMATSU - PIN
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Eigenschaften

Merkmal
InGaAs
Installierung
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Beschreibung

Langer Wellenlängentyp (Grenzwellenlänge: 2,55 μm) Merkmale - Cutoff-Wellenlänge: 2,55 μm - Zweistufig TE-gekühlt - Kostengünstig - Lichtempfindliche Fläche: φ1 mm - Geringes Rauschen - Hohe Empfindlichkeit - Hohe Zuverlässigkeit - Schnelle Reaktion - Hohe Empfindlichkeit im kurzwelligen Bereich: 0,4 A/W (λ=900 nm) Spezifikationen Lichtempfindliche Fläche : φ1,0 mm Anzahl der Elemente : 1 Gehäuse : Metall Gehäuse-Kategorie : TO-66 Kühlung : Zweistufig TE-gekühlt Spektraler Empfindlichkeitsbereich : 0,9 bis 2,55 μm Wellenlänge der Spitzenempfindlichkeit (typ.) : 2.3 μm Lichtempfindlichkeit (typ.) : 1,3 A/W Dunkelstrom (max.) : 100 nA Grenzfrequenz (typ.) : 4 MHz Anschlusskapazität (typ.) : 500 pF Rauschäquivalentleistung (typ.) : 2×10-13 W/Hz1/2 Messbedingung : Typ. Tc=-20 ℃, wenn nicht anders angegeben, Lichtempfindlichkeit: λ=λp, Dunkelstrom: VR=10 mV, Grenzfrequenz: VR=0 V, RL=50 Ω, Anschlusskapazitäten: VR=0 V, f=1 MHz

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IPACK IMA 2025
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27-30 Mai 2025 Milano (Italien) Halle 7 - Stand B63

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    * Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.