Das PHEMOS-1000 ist ein hochauflösendes Emissionsmikroskop, das Fehlerstellen in Halbleiterbauelementen lokalisiert, indem es die schwachen Lichtemissionen und Wärmeemissionen erkennt, die von Halbleiterbauelementdefekten verursacht werden. Da das PHEMOS-1000 in Kombination mit einem Allzweck-Prober verwendet werden kann, können Sie verschiedene Analyseaufgaben unter Verwendung der Ihnen bereits bekannten Probenaufbauten durchführen. Die Installation eines optionalen Laser-Scan-Systems ermöglicht die Aufnahme von hochauflösenden Musterbildern. Für verschiedene Analysetechniken wie Emissionsanalyse, Thermoanalyse und IR-OBIRCH-Analyse stehen unterschiedliche Detektortypen zur Verfügung. Die PHEMOS-1000 unterstützt eine Vielzahl von Aufgaben und Anwendungen, die von Prober-Sockelplatten bis hin zu einem großformatigen 300-mm-Waferprober reichen.
Merkmale
- Zwei Kameras mit ultrahoher Empfindlichkeit montierbar
- Laser für bis zu 3 Wellenlängen und eine Probe-Lichtquelle für EOP sind montierbar
- Ausgestattet mit einem optischen Tisch, geeignet für diverse Proben
Optionen
- Inklusive Laser-Scan-System
- Emissionsanalyse mit hochempfindlicher Nah-Infrarot-Kamera
- Thermische Analyse mit hochempfindlicher Mittel-Infrarot-Kamera
- IR-OBIRCH-Analyse
- Dynamische Analyse durch Laserbestrahlung
- EO-Sondierungsanalyse
- Hochauflösende und hochempfindliche Analyse mit NanoLens
- Anbindung an CAD-Navigation
- Anbindung an LSI-Tester
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