Infrarot-Fotodiode S15137

PIN

Si-Photodiode für sichtbare bis infrarote Photometrie Die S15137 ist eine Si-PIN-Photodiode, die für YAG-Laser (1,06 µm) entwickelt wurde. Die Lichtempfindlichkeit bei 1,06 µm beträgt 0,52 A/W (typ.) und ist damit etwa 1,5 mal höher als bei bisherigen Produkten. Die PIN-Struktur ermöglicht ein schnelles Ansprechverhalten und eine geringe Kapazität. Der lichtempfindliche Bereich ist bis zu φ5 mm groß, was die Ausrichtung der optischen Achse erleichtert. Merkmale -Hohe Empfindlichkeit im Infrarotbereich: 0,52 A/W (λ=1,06 µm) -Schnelle Ansprechzeit: tr=12,5 ns (VR=100 V) -Geringe Kapazität: Ct=10 pF (VR=100 V) -Große lichtempfindliche Fläche: φ5 mm -Hohe Zuverlässigkeit: TO-8-Metallgehäuse Spezifikationen Lichtempfindliche Fläche : φ5,0 mm Anzahl der Elemente : 1 Gehäuse : Metall Gehäusekategorie : TO-8 Kühlung : Nicht gekühlt Rückwärtsspannung (max.) : 150 V Spektraler Empfindlichkeitsbereich : 360 bis 1120 nm Wellenlänge der Spitzenempfindlichkeit (typ.) : 1000 nm Lichtempfindlichkeit (typ.) : 0,52 A/W Dunkelstrom (max.) : 10000 pA Anstiegszeit (typ.) : 0,0125 μs Anschlusskapazität (typ.) : 10 pF Messbedingung : Ta=25 ℃, Typ., Lichtempfindlichkeit: λ=1060 nm, Dunkelstrom: VR=100 V, Anstiegszeit: VR=100 V, RL=50 Ω, λ=1060 nm, 10 ～ 90%, Anschlusskapazität: VR=100 V, f=10 kHz, wenn nicht anders angegeben