InGaAs-Fotodiode G14858-0020AA

Avalanche

InGaAs APD, die den Dunkelstrom stark reduziert Diese InGaAs-APD (Avalanche-Photodiode) reduziert den Dunkelstrom im Vergleich zu bestehenden Produkten durch den Einsatz einer neuen Bausteinstruktur und einer verbesserten Verarbeitung erheblich. Die G14858-0020AA wird u. a. für Abstandsmessungen und die Erkennung bei schlechten Lichtverhältnissen verwendet. Merkmale - Niedriger Dunkelstrom - Geringe Kapazität - Hohe Empfindlichkeit Spezifikationen Anzahl der Elemente : 1 Lichtempfindliche Fläche : φ0,2 mm Gehäuse : Metall Gehäuse Kategorie : TO-18 Spektraler Empfindlichkeitsbereich : 950 bis 1700 nm Wellenlänge der Spitzenempfindlichkeit (typ.) : 1550 nm Lichtempfindlichkeit (typ.) : 0,8 A/W Dunkelstrom (max.) : 50 nA Grenzfrequenz (typ.) : 900 MHz Anschlusskapazität (typ.) : 2 pF Durchbruchspannung (typ.) : 65 V Temperaturkoeffizient der Durchbruchspannung (typ.) : 0,1 V/℃ Messbedingung : Ta=25℃, Lichtempfindlichkeit: λ=1,55 μm, M=1