Infrarot-Fotodiode S16008-33

Silizium

Photodiode für allgemeine Photometrie im sichtbaren bis nahen Infrarotbereich Die S16008-33 ist eine oberflächenmontierbare Si-Photodiode mit hoher Empfindlichkeit im sichtbaren bis nahen Infrarotbereich. Sie bietet eine höhere Empfindlichkeit als die Vorgängerserie S2387. Merkmale -Hohe Empfindlichkeit im sichtbaren bis nahen Infrarotbereich -Niedriger Dunkelstrom -Überlegene Linearität -Kompatibel mit bleifreiem Lot-Reflow Spezifikationen Lichtempfindliche Fläche : 2,4 × 2,4 mm Anzahl der Elemente : 1 Gehäuse : Glas-Epoxid Gehäusekategorie : Oberflächenmontagetyp Kühlung : Nicht gekühlt Spektraler Empfindlichkeitsbereich : 380 bis 1100 nm Wellenlänge der Spitzenempfindlichkeit (typ.) : 960 nm Lichtempfindlichkeit (typ.) : 0,64 A/W Dunkelstrom (max.) : 5 pA Anstiegszeit (typ.) : 1,5 μs Anschlusskapazität (typ.) : 700 pF Rauschäquivalentleistung (typ.) : 9,0 × 10-16 W/Hz1/2 Messbedingung : Ta=25 ℃, typ., Lichtempfindlichkeit: λ=λp, Dunkelstrom: VR=10 V, Anstiegszeit: VR=0 V, RL=1 kΩ, 10 bis 90%, Anschlusskapazität: VR=0 V, f=10 kHz, Rauschäquivalentleistung: VR=0 V, λ=λp, wenn nicht anders angegeben