Diamant mit einzelnem Stickstoff-Fehlstellen-Zentrum S110

für hochreine AnwendungenStickstoffoptisch

Einzelne NV-Diamanten (SNV-1) enthalten einzelne NV-Zentren, die sich gleichmäßig über den Diamanten verteilen. Stickstoff-Freiheit gleichmäßig über die Platte verteilt. NV-Dichte unter 0,00005ppb. Die einzelnen NV-Zentren werden auf zerstörungsfreie Weise hergestellt und besitzen lange Kohärenzzeiten (T2&T2*) NV-Zentren in SNV-Diamant können in verschiedenen Bereichen eingesetzt werden, darunter: Quantencomputer, Quantenkommunikation, Quantenpräzisionssensorik Die Dichte der einzelnen NV-Zentren kann kontrolliert werden, um die verschiedenen Anforderungen zu erfüllen. Merkmale： 1. Alle Parameter werden im Labor nach dem internationalen Standard gemessen; 2. Die Standardgröße kann bis zu 10×10mm angepasst werden; 3. Die Dichte der NV-Zentren kann von 500ppb bis 5ppm angepasst werden; 4. Weit verbreitet in den Bereichen Quantencomputing, Präzisionsmessung, Halbleiterindustrie, Biowissenschaften usw. HaiNan Neocrystech Co., Ltd. bietet Diamantprodukte in Quantenqualität an, die gezielte und kontrollierte Mengen an Stickstoff-Leerstellen (NV-Zentren) enthalten, einschließlich hochwertiger Einzel- und Ensemble-NV-Zentren. Unsere exklusive Produktion zeichnet sich durch eine interne Dispersion von einzelnen NV-Zentren (SNV) in einer Dichte zwischen 10 und 300 pro 10000 µm² aus, mit typischen Spin-Kohärenzzeiten (T2) von über 300 µm und einer langen T2* von 1~3 µm. Wir unterstützen die individuelle Anpassung der einzelnen NV-Dichte, der Diamantgröße und der bevorzugten polierten Flächen {100}, {111} oder {110}. Unsere ENV-Diamanten enthalten hochdichte NV-Zentren, die von 500 ppb bis 10 ppm variieren, mit einem T2 von 100 bis 200 µm und einem T2* von 0,5 µm. Wir bieten kundenspezifische Diamanten mit den Hauptflächen {100}, {111} oder {110} in verschiedenen Dichten an.