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Fotodioden-Laserleistungsdetektor PH100-SI-HA-OD2-D0

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Eigenschaften

Merkmal
Fotodioden

Beschreibung

GROSSE APERTUREN 10 mm Ø für die Siliziumsensoren 3 VERSIONEN • Silizium 350 - 1080 nm, bis 750 mW • Silizium-UV 210 - 1080 nm, bis 38 mW • Germanium 800 - 1650 nm, bis 500 mW WAHL DER ABSCHWÄCHER • OD0.3: 50% Transmission (PH100-SiUV) • OD1: 10% Transmission • OD2: 1% Transmission HOHE MESSGENAUIGKEIT Der neue PH100-Si-HA hat eine geringere Kalibrierunsicherheit PRÄZISE KALIBRIERUNG Auswahl der Wellenlänge in 1 nm-Schritten INTELLIGENTE BENUTZEROBERFLÄCHE Enthält alle Kalibrierungsdaten MESSMÖGLICHKEITEN Maximale Durchschnittsleistung1 750 mW Äquivalente Rauschleistung2 2 nW Spektralbereich 630 - 1080 nm Typische Anstiegszeit 0.2 s Unsicherheit der Leistungskalibrierung3 ±4.0 % (630 - 899 nm) ±5.0 % (900 - 1009 nm) ±7.5 % (1010 - 1080 nm) Spitzenempfindlichkeit 980 nm Minimale Wiederholungsrate4 155 kHz 1. Bei 1064 nm, mit Abschwächer. Siehe Kurven für die maximale Leistung bei anderen Wellenlängen. 2. Bei 980 nm. Nennwert. Der Istwert hängt von der elektromagnetischen Interferenz der Umgebung und der Wellenlänge ab. 3. Mit Abschwächer. Siehe Benutzerhandbuch für die Kalibrierunsicherheit ohne Abschwächer. 4. Einzelheiten finden Sie im Benutzerhandbuch.

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.