Die Reihen der Grenze Graben-MOS Schottky-Dioden sind ein sehr robuster mechanischer Entwurf mit niedrigen Bewertungen der Vorwärtsspannung (VF). Optimiert für Leistungsabfall der hohen Leistungsfähigkeit und der geringen Energie, werden sie ideal für Gebrauch in den Schaltnetzteilen und Batterieschutz aufzuheben entsprochen. Die Schottky-Diode (alias eine Schottky-Sperrschichtdiode) ist eine schnelle Schaltdiode mit einem niedrigen Vorwärtsspannungsabfall. Es gibt einen kleinen Spannungsabfall über einer Diode, wenn gegenwärtig, durchfließt ihn. Grenze-TH Schottky-Dioden haben einen Vorwärtsspannungsabfall (VF-Strecke von 0,45 bis 0,92 Volt, viel niedriger als andere Arten Dioden. Dieser niedrige Vorwärtsspannungsabfall liefert höhere System-Leistungsfähigkeit und schnellere Schaltverzögerung. In einer Schottky-Diode wird ein Halbleiter zur Metallkreuzung gebildet in, welchen der N-Halbleiter als die Kathode auftritt und das Metall als die Anode der Schottky-Diode auftritt. Wenn Sie Schottky-Dioden dort vorwählen, seien Sie einige wichtige betrachtet zu werden Parameter, Vorwärtsspannungsabfall (VF), durchschnittlicher Richtstrom (IO), und sich wiederholender Rückhöchststrom (VRRM) sind das allgemeinste. Der der Schottky-niedrige spannungsabfall VorwärtsDioden (VF) macht sie ideal entsprochen für Gebrauch in den Sonnensystemen, zu verhindern, dass Batterien durch den Sonnenkollektor ablassen, wenn es wenig zu keinem Licht gibt. Schottky-Dioden werden auch in der Schaltenmodusstromversorgung als Gleichrichter wegen ihrer schnellen Antwortzeit und hohen Leistungsfähigkeit benutzt.
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