Widerstandsonde |Z| Probe® Power

Reflexion

Die Nachfrage nach dem Zugang zu reichhaltigen Inhalten überall auf der Welt treibt das Wachstum der drahtlosen Übertragung von Informationen voran. Dadurch steigt der Bedarf an HF-Leistungsgeräten in drahtlosen Systemen und an neuen Technologien wie GaN und SiC. Dies wiederum macht die Charakterisierung dieser neuen Technologien auf Wafer-Ebene erforderlich, was die Zeit für die Entwicklung neuer Modelle erheblich verkürzt. Diese Modelle werden für neue Bauelemente verwendet, die dann in drahtlosen Übertragungssystemen (Basisstationen, Satelliten usw.) eingesetzt werden, um die Anforderungen der inhaltshungrigen Verbraucher zu erfüllen. Um eine hochpräzise Charakterisierung von HF-Leistungsbauelementen auf Waferebene zu ermöglichen, eignet sich der |Z| Probe® Power, der auf der bewährten |Z| Probe-Technologie basiert, für hohe Leistungen bei hohen Frequenzen (bis zu 40 GHz). Der |Z| Probe Power bietet eine hervorragende Kontaktwiederholbarkeit und einen extrem niedrigen Kontaktwiderstand, um genaue Ergebnisse in Load-Pull-Messaufbauten zu liefern, die typisch für die Charakterisierung von HF-Leistungsbauelementen sind. Da die Einfügedämpfung bei Load-Pull- und Rauschparametermessungen niedrig gehalten werden muss, um einen hohen Reflexionskoeffizienten (Γ) zu gewährleisten, wurde der |Z| Probe Power für eine extrem niedrige Einfügedämpfung entwickelt. Dies bedeutet, dass Sie genauere Messungen erhalten, insbesondere bei Impedanzen, die nicht 50 Ω betragen.